Страницы: 1 2 3 4 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые эпитаксиально — планарные диодные матрицы 2Д906А1/ББ, 2Д906А1/ББ «ОС» 2Д906Б1/ББ, 2Д906Б1/ББ «ОС» 2Д906В1/ББ, 2Д906В1/ББ «ОС» На печать АЕЯР.432120.185 ТУ, аАО.339.190 ТУ (для «ОС») Особенности — состоят из четырех элементов; — пластмассовый корпус. Применение — предназначены для работы в качестве выпрямительного моста или резервированного диода в специальных радиотехнических и электронных устройствах. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Примечание 2Д906А1/ББ, 2Д906А1/ББ «ОС» 2Д906Б1/ББ, 2Д906Б1/ББ «ОС» 2Д906В1/ББ, 2Д906В1/ББ «ОС» При включении в качестве резервированного диода Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 75,0 50,0 30,0 1,5 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (τ ≤ 10 мкс), В Uобр.и.мах 100,0 75,0 75,0 1,3,5 Максимально допустимый импульсный прямой ток (τ ≤ 10 мкс, Iпр.ср.=30 мА), А (τ ≤ 10 мкс, Iпр.ср.=60 мА при температуре от минус 60 до 90 °С), А Iпр.и.макс Iпр.и.макс 2,0 1,0 2,0 1,0 2,0 1,0 1,5 5 Максимально допустимый средний прямой ток при температуре: — от минус 60 до 50 °С, мА; — при температуре 125 °С, мА Iпр.ср.макс Iпр.ср.макс 200,0 25,0 200,0 25,0 200,0 25,0 2,5 4,5 Предельная частота выпрямления (без снижения прямого тока), кГц fпред 500,0 500,0 500,0 4,5 При работе в качестве выпрямительного моста (включение в схему выводами 3-4 – вход, выводами 1-2 – выход) Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на входе, В Uобр.макс 75,0 50,0 30,0 1 Максимально допустимая однократная перегрузка по величине постоянного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 5 мин), А: а) в течение 10 мкс; б) в течение 1 мс Iпр.и.макс Iпр.и.макс 2,0 1,0 2,0 1,0 2,0 1,0 1 1 Предельная рабочая частота, кГц fпред 500,0 500,0 500,0 4 Значения электрических параметров приведены в диапазоне температур от минус 60 до 125 °С. В диапазоне температур от 50 до 125 °С максимально допустимый прямой ток уменьшается линейно. Подача импульса отрицательной полярности через время не менее 3 мкс после окончания импульсов прямого тока. При любой форме напряжения длительностью фронта не менее 50 нс от уровня 0,1 до уровня 0,9 амплитуды напряжения. Параметры приведены для каждого элемента диодной матрицы. Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Примечание Постоянное обратное напряжение, В Uобр ≥75,0 для А1, ≥50,0 для Б1, ≥30,0 для В1 Iобр = 2 мкА 1 Постоянный обратный ток, мкА Iобр. ≤2,0 Uобр = 75 В (для А1), 50 В (для Б1), 30 В (для В1) 1 Постоянное прямое напряжение, В Uпр ≤1,0 Iпр.=50 мА 1 Импульсное прямое напряжение, В Uпр.и ≤5,0 Iпр.и=2 А, Iпр.ср= 30 мА, τи = 10 мкс 1 Установившееся прямое напряжение, В Uпр.уст ≤2,0 Iпр.и=2 А, Iпр.ср=30 мА, τи = 10 мкс 1 Прямое напряжение короткого замыкания, В Uпр.к.з ≤2,0 Iм = 0,2 А 2 Обратный ток холостого хода, мкА Iобр.х.х. ≤5,0 Uобр = 75 В (для А1), 50 В (для Б1), 30 В (для В1) 2 Общая емкость, пФ Сд ≤20,0 Uобр = 5 В 1 Время обратного восстановления, мкс tвос.обр ≤0,4 Iвос = 5 мА, Uобр. = 20 В, Iпр.и = 0,2 А, R∑ = 600 Ом 1 Время прямого восстановления, мкс tвос.пр ≤1,0 Iпр.и=2 А, Iпр.ср=30 мА, τи = 10 мкс 1 Пробивное напряжение, В Uпроб ≥100,0 для А1, ≥75,0 для Б1 и В1 Iобр=50 мкА 1 Примечания Параметры приведены для каждого элемента ДМ. Параметры приведены для работы ДМ в качестве выпрямительного моста. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые эпитаксиально — планарные диодные матрицы 2Д906Г/ББ, 2Д906Г1/ББ На печать АЕЯР.432120.185 ТУ Особенности — состоят из четырех элементов; — пластмассовый корпус. Применение — предназначены для работы в качестве выпрямительного моста или резервированного диода в специальных радиотехнических и электронных устройствах. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Примечание При включении в качестве резервированного диода Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 300,0 1,5 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (τ ≤ 10 мкс), В Uобр.и.мах 400,0 1,3,5 Максимально допустимый импульсный прямой ток (τ ≤ 10 мкс, Iпр.ср.=30 мА), А (τ ≤ 10 мкс, Iпр.ср.=60 мА при температуре от минус 60 до 90 °С), А Iпр.и.макс Iпр.и.макс 2,0 1,0 1,5 5 Максимально допустимый средний прямой ток при температуре: — от минус 60 до 50 °С, мА; — при температуре 125 °С, мА Iпр.ср.макс Iпр.ср.макс 200,0 25,0 2,5 4,5 Предельная частота выпрямления (без снижения прямого тока), кГц fпред 10,0 4,5 При работе в качестве выпрямительного моста (включение в схему выводами 3-4 – вход, выводами 1-2 – выход) Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на входе, В Uобр.макс 300,0 1 Максимально допустимый средний прямой ток на выходе в зависимости от температуры и частоты, мА Iпр.ср.макс 25,0 Максимально допустимая однократная перегрузка по величине постоянного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 5 мин), А: а) в течение 10 мкс; б) в течение 1 мс Iпр.и.макс Iпр.и.макс 2,0 1,0 1 1 Предельная рабочая частота, кГц fпред 10,0 4 Значения электрических параметров приведены в диапазоне температур от минус 60 до 125 °С. В диапазоне температур от 50 до 125 °С максимально допустимый прямой ток уменьшается линейно. Подача импульса отрицательной полярности через время не менее 3 мкс после окончания импульсов прямого тока. При любой форме напряжения длительностью фронта не менее 50 нс от уровня 0,1 до уровня 0,9 амплитуды напряжения. Параметры приведены для каждого элемента диодной матрицы. Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Примечание Постоянное обратное напряжение, В Uобр ≥300 Iобр = 2 мкА 1 Постоянный обратный ток, мкА Iобр. ≤2 Uобр=300 В 1 Постоянное прямое напряжение, В Uпр ≤1 Iпр.=50 мА 1 Импульсное прямое напряжение, В Uпр.и ≤5 Iпр.и=2 А, Iпр.ср= 30 мА, τи = 10 мкс 1 Установившееся прямое напряжение, В Uпр.уст ≤2,5 Iпр.и=2 А, Iпр.ср=30 мА, τи = 10 мкс 1 Прямое напряжение короткого замыкания, В Uпр.к.з ≤2 Iм = 0,2 А 2 Обратный ток холостого хода, мкА Iобр.х.х. ≤5 Uобр = 300 В 2 Общая емкость, пФ Сд ≤20 Uобр = 5 В 1 Время обратного восстановления, мкс tвос.обр ≤0,4 Iвос = 5 мА, Uобр. = 20 В, Iпр.и = 0,2 А, R∑ = 600 Ом 1 Время прямого восстановления, мкс tвос.пр ≤1 Iпр.и=2 А, Iпр.ср=30 мА, τи = 10 мкс 1 Пробивное напряжение, В Uпроб ≥400 Iобр=50 мкА 1 Примечания Параметры приведены для каждого элемента ДМ. Параметры приведены для работы ДМ в качестве выпрямительного моста. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые эпитаксиально — планарные диодные матрицы 2Д906А2/ББ, 2Д906Б2/ББ, 2Д906В2/ББ На печать АЕЯР.432120.185 ТУ Особенности — состоят из четырех элементов; — металлокерамический корпус; — группа стойкости 3У по ГОСТ В 20.39.404. Применение — предназначены для работы в качестве выпрямительного моста или резервированного диода в специальных радиотехнических и электронных устройствах. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Примечание 2Д906А2/ББ 2Д906Б2/ББ 2Д906В2/ББ При включении в качестве резервированного диода Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 75,0 50,0 30,0 1,5 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (τ ≤ 10 мкс), В Uобр.и.мах 100,0 75,0 75,0 1,3,5 Максимально допустимый импульсный прямой ток (τ ≤ 10 мкс, Iпр.ср.=30 мА), А (τ ≤ 10 мкс, Iпр.ср.=60 мА при температуре от минус 60 до 90 °С), А Iпр.и.макс Iпр.и.макс 2,0 1,0 2,0 1,0 2,0 1,0 1,5 5 Максимально допустимый средний прямой ток при температуре: — от минус 60 до 50 °С, мА; — при температуре 125 °С, мА Iпр.ср.макс Iпр.ср.макс 200,0 25,0 200,0 25,0 200,0 25,0 2,5 4,5 Предельная частота выпрямления (без снижения прямого тока), кГц fпред 500,0 500,0 500,0 4,5 При работе в качестве выпрямительного моста (включение в схему выводами 3-4 – вход, выводами 1-2 – выход) Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на входе, В Uобр.макс 75,0 50,0 30,0 1 Максимально допустимая однократная перегрузка по величине постоянного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 5 мин), А: а) в течение 10 мкс; б) в течение 1 мс Iпр.и.макс Iпр.и.макс 2,0 1,0 2,0 1,0 2,0 1,0 1 1 Предельная рабочая частота, кГц fпред 500,0 500,0 500,0 4 Значения электрических параметров приведены в диапазоне температур от минус 60 до 125 °С. В диапазоне температур от 50 до 125 °С максимально допустимый прямой ток уменьшается линейно. Подача импульса отрицательной полярности через время не менее 3 мкс после окончания импульсов прямого тока. При любой форме напряжения длительностью фронта не менее 50 нс от уровня 0,1 до уровня 0,9 амплитуды напряжения. Параметры приведены для каждого элемента диодной матрицы. Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Постоянное обратное напряжение, В Uобр ≥75,0 для А2, ≥50,0 для Б2, ≥30,0 для В2 Iобр = 2 мкА Постоянный обратный ток, мкА Iобр. ≤2,0 Uобр = 75 В (для А2), 50 В (для Б2), 30 В (для В2) Постоянное прямое напряжение, В Uпр ≤1,0 Iпр.=50 мА Импульсное прямое напряжение, В Uпр.и ≤5,0 Iпр.и=2 А, Iпр.ср= 30 мА, τи = 10 мкс Установившееся прямое напряжение, В Uпр.уст ≤2,0 Iпр.и=2 А, Iпр.ср=30 мА, τи = 10 мкс Прямое напряжение короткого замыкания, В Uпр.к.з ≤2,0 Iм = 0,2 А Обратный ток холостого хода, мкА Iобр.х.х. ≤5,0 Uобр = 75 В (для А2), 50 В (для Б2), 30 В (для В2) Общая емкость, пФ Сд ≤20,0 Uобр = 5 В Время обратного восстановления, мкс tвос.обр ≤0,4 Iвос = 5 мА, Uобр. = 20 В, Iпр.и = 0,2 А, R∑ = 600 Ом Время прямого восстановления, мкс tвос.пр ≤1,0 Iпр.и=2 А, Iпр.ср=30 мА, τи = 10 мкс Пробивное напряжение, В Uпроб ≥100,0 для А2, ≥75,0 для Б2 и В2 Iобр=50 мкА ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые диодные матрицы полупроводниковые 2ДС627А/ББ, 2ДС627А/ББ «ОСМ» На печать АЕЯР.432120.515 ТУ, РД В 22.02.218 (для «ОСМ») Особенности — керамикополимерный корпус 401.16-3 БЧО.487.005 ТУ. Применение — предназначены для работы в аппаратуре специального назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 50 Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение (при τи≤2 мкс и Q≥10), В Uобр.и.мах 60 Максимально допустимое неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В Uобр.и.нп 70 Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.ср.макс 0,2 0,08 Максимально допустимый действующий прямой ток для каждого диода, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.д.макс 0,2 0,08 Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения Iпр.ср.макс через любое число диодов ДМП или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.и.макс 1,50,75 Максимально допустимый ударный прямой ток для каждого диода, А (при температуре окружающей среды 25±10ºС) (при τи≤10 мкс и Q=50) Iпр.уд.макс 2,5 Максимально допустимая температура перехода, °С Tj 155 Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Постоянный обратный ток и его стабильность для каждого диода, мкА Iобр ≤2 Uобр=50 В Постоянное прямое напряжение для каждого диода, В Uпр ≥0,85 ≤1,15 Iпр=200 мА Время обратного восстановления ДМП каждого диода, нс tвос ≤40 Iпр.и=200 мА, Uобр.и=20 В, Iобр.отсч=10 мА, dIпр.и/dt = 25А/мкс Общая емкость каждого диода при нулевом смещении, пФ Сд ≤5 Импульсное прямое напряжение для каждого диода, В Uпр.и ≤4 Iпр.и = 1 А, τи= 10 мкс, Q=500 Дифференциальное сопротивление каждого диода в открытом состоянии, Ом rД ≤10 Iпр =100 мА Тепловое сопротивление переход-среда каждого диода, °С/Вт RТ ≤200 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые диодные матрицы полупроводниковые 2ДС627А1/ББ, 2ДС627А1/ББ «ОСМ» На печать АЕЯР.432120.515 ТУ, РД В 22.02.218 (для «ОСМ») Особенности — металлокерамический корпус 4106.16 УФО.487.005 ТУ. Применение — предназначены для работы в аппаратуре специального назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 50 Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение (при τи≤2 мкс и Q≥10), В Uобр.и.мах 60 Максимально допустимое неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В Uобр.и.нп 70 Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.ср.макс 0,2 0,08 Максимально допустимый действующий прямой ток для каждого диода, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.д.макс 0,2 0,08 Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения Iпр.ср.макс через любое число диодов ДМП или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.и.макс 1,50,75 Максимально допустимый ударный прямой ток для каждого диода, А (при температуре окружающей среды 25±10ºС) (при τи≤10 мкс и Q=50) Iпр.уд.макс 2,5 Максимально допустимая температура перехода, °С Tj 155 Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Постоянный обратный ток и его стабильность для каждого диода, мкА Iобр ≤2 Uобр=50 В Постоянное прямое напряжение для каждого диода, В Uпр ≥0,85 ≤1,15 Iпр=200 мА Время обратного восстановления ДМП каждого диода, нс tвос ≤40 Iпр.и=200 мА, Uобр.и=20 В, Iобр.отсч=10 мА, dIпр.и/dt = 25А/мкс Общая емкость каждого диода при нулевом смещении, пФ Сд ≤5 Импульсное прямое напряжение для каждого диода, В Uпр.и ≤4 Iпр.и = 1 А, τи= 10 мкс, Q=500 Дифференциальное сопротивление каждого диода в открытом состоянии, Ом rД ≤10 Iпр =100 мА Тепловое сопротивление переход-среда каждого диода, °С/Вт RТ ≤200 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевый эпитаксиально — планарный импульсный полупроводниковый диод 2Д510А/ББ На печать АЕЯР.432120.239 ТУ Особенности — металлостеклянный корпус КД-3 ГОСТ 18472. Применение — предназначен для работы в импульсных схемах (в импульсных вторичных источниках питания, в преобразователях частоты и т.п.) аппаратуры военного назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 50,0 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В Uобр.и.мах 70,0 Максимально допустимый средний прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С; — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.ср.max Iпр.ср.max 200,0 100,0 Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.max Iпр.max 200,0 100,0 Максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения Iпр.ср.max, мА: — при температуре от минус 60 до 50°С; — при температуре 125°С Iпр.и.max Iпр.и.max 1500,0 500,0 Ток перегрузки (ударный ток), А:— при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 50; — при температуре окружающей среды 25 °С Iуд Iуд 2,02,0 Температура перехода, °С Tj 150 Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Постоянный обратный ток, мкА Iобр 5,0 Uобр=50 В Постоянное прямое напряжение, В Uпр 1,1 Iпр=200 мА Заряд восстановления диода, пКл Qвос 400,0 при переключении с Iпр=50 мА на Uобр.и =10 В Время обратного восстановления диода, нс tвос.обр 4,0 при переключении с Iпр=10 мА на Uобр.и=10 В при уровне обратного тока 2 мА Общая емкость диода при нулевом смещении, пФ Сд 4,0 Импульсное прямое напряжение, В Uпр.и 5,0 Iпр.и=2 А Дифференциальное сопротивление диода в открытом состоянии, Ом rд 5,0 Iпр=100 мА Тепловое сопротивление кристалл-корпус диода, град/Вт RТ 200,0 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевый эпитаксиально — планарный импульсный диод ОС2Д510А/ББ На печать АЕЯР.432120.602 ТУ Особенности — металлостеклянный корпус КД-3 ГОСТ 18472. Применение — предназначен для работы в импульсных схемах (в импульсных вторичных источниках питания, в преобразователях частоты и т.п.) аппаратуры специального назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 50,0 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В Uобр.и.мах 70,0 Максимально допустимый средний прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С; — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.ср.max Iпр.ср.max 200,0 100,0 Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С Iпр.max Iпр.max 200,0 100,0 Максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения Iпр.ср.max, мА: — при температуре от минус 60 до 50°С; — при температуре 125°С Iпр.и.max Iпр.и.max 1500,0 500,0 Ток перегрузки (ударный ток), А:— при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 50; — при температуре окружающей среды 25 °С Iуд Iуд 2,02,0 Температура перехода, °С Tj 150 Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Режим измерения Постоянный обратный ток, мкА Iобр 5,0 Uобр=50 В Постоянное прямое напряжение, В Uпр 1,1 Iпр=200 мА Заряд восстановления диода, пКл Qвос 400,0 при переключении с Iпр=50 мА на Uобр.и =10 В Время обратного восстановления диода, нс tвос.обр 4,0 при переключении с Iпр=10 мА на Uобр.и=10 В при уровне обратного тока 2 мА Общая емкость диода при нулевом смещении, пФ Сд 4,0 Импульсное прямое напряжение, В Uпр.и 5,0 Iпр.и=2 А Дифференциальное сопротивление диода в открытом состоянии, Ом rд 5,0 Iпр=100 мА Тепловое сопротивление кристалл-корпус диода, град/Вт RТ 200,0 ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые эпитаксиально — планарные импульсные полупроводниковые диоды 2Д520А, 2Д520А «ОС» На печать аАО.339.163 ТУ, аАО.339.190 ТУ (для «ОС») Особенности — металлостеклянный корпус. Применение — предназначены для применения в устройствах специального назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В Uобр.макс 15 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение, В Uобр.и.мах 25 Максимально допустимый импульсный прямой ток, мА (τи ≤ 10 мкс, Q ≥ 2,5) Iпр.и.мах 50 Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА Iпр.мах 20 Габаритный чертеж Принципиальная схема Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Режим измерения Импульсное прямое напряжение, В Uпр.и 2 Iпр.и = 20 мА Постоянное прямое напряжение, В Uпр 1 Iпр= 20 мА Постоянный обратный ток, мкА Iобр 1 Uобр.max = 15 В Общая емкость диода, пФ Cд 3 Uобр = 5 В f = 1÷10 мГц Заряд восстановления, пКл Qвос 100 при переключении с Iпр =10 мА, на Uобр.и =10 В ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые эпитаксиально — планарные импульсные диодные матрицы 2ДС523А2ДС523Б2ДС523В2ДС523Г На печать ТТ3.362.143 ТУ Особенности — пластмассовый корпус; — два (типы 2ДС523А, Б) и четыре (типы 2ДС523В, Г) элемента с раздельными мину-совыми и плюсовыми электродами Применение — устройства специального назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Максимально допустимое постоянное обратное напряжение любой формы и периодичности, В Uобр.мах 50 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (при τи ≤ 3 мкс и времени между бросками t ≥ 0,5 с), В Uобр.и.мах 70 Максимально допустимый постоянный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Qокр от минус 60 до 85ºС), мА Iпр.мах 20 Максимально допустимый импульсный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Qокр от минус 60 до 85ºС) tи ≤ 10 мкс; время между бросками t ≥ 0,5 с; Iпр.ср ≤ 20 мА, мА Iпр.и.мах 200 Максимально допустимый средний прямой ток (диапазон Qокр от минус 60 до 85ºС), мА Iпр.ср.мах 20 Габаритный чертеж, принципиальная схема 2ДС523А, 2ДС523Б 2ДС523В, 2ДС523Г Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Режим измерения 2ДС523А 2ДС523Б 2ДС523В 2ДС523Г Постоянный обратный ток, мкА Iобр 5 5 5 5 Uобр =50 В Постоянное прямое напряжение, В Uпр 1 1 1 1 Iпр =20 мА Заряд восстановления, пКл Qвос 150 150 150 150 Iпр =20 мА, Uобр.и =10 В Разность прямых напряжений между всеми элементами диодной матрицы, мВ ΔUпр 5 20 10 20 Iпр =0,05÷2 мА Общая емкость, пФ Сд 2 2 2 2 Uобр=0,1 В Время обратного восстановления, нс tвос.обр 4 4 4 4 с Iпр=10 мА на Uобр.и=10 В, уровень отсчета Iобр=2 мА Примечание – все параметры, за исключением ΔUпр, приведены для каждого элемента диодной матрицы. ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Кремниевые эпитаксиально — планарные импульсные диодные матрицы 2ДС523АМ, 2ДС523АМ «ОСМ»2ДС523БМ, 2ДС523БМ «ОСМ»2ДС523ВМ, 2ДС523ВМ «ОСМ»2ДС523ГМ, 2ДС523ГМ «ОСМ» На печать ТТ3.362.143 ТУ Д1, ПО.070.052 (для «ОСМ») Особенности — пластмассовый корпус; — два (типы 2ДС523АМ, БМ) и четыре (типы 2ДС523ВМ, ГМ) элемента с раздельными минусовыми и плюсовыми электродами, с индивидуальной стеклянной герметизацией каждого элемента. Применение — устройства специального назначения. Предельно допустимые значения параметров Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма Максимально допустимое постоянное обратное напряжение любой формы и периодичности, В Uобр.мах 50 Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (при τи ≤ 3 мкс и времени между бросками t ≥ 0,5 с), В Uобр.и.мах 70 Максимально допустимый постоянный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Qокр от минус 60 до 85ºС), мА Iпр.мах 20 Максимально допустимый импульсный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Qокр от минус 60 до 85ºС) tи ≤ 10 мкс; время между бросками t ≥ 0,5 с; Iпр.ср ≤ 20 мА, мА Iпр.и.мах 200 Максимально допустимый средний прямой ток (диапазон Qокр от минус 60 до 85ºС), мА Iпр.ср.мах 20 Габаритный чертеж, принципиальная схема 2ДС523АМ, 2ДС523БМ 2ДС523ВМ, 2ДС523ГМ Основные электрические параметры при Токр.среды = (25±10)˚С Наименование параметра, единица измерения Буквенное обозначение Норма, не более Режим измерения 2ДС523АМ, 2ДС523АМ «ОСМ» 2ДС523БМ, 2ДС523БМ «ОСМ» 2ДС523ВМ, 2ДС523ВМ «ОСМ» 2ДС523ГМ, 2ДС523ГМ «ОСМ» Постоянный обратный ток, мкА Iобр 5 5 5 5 Uобр =50 В Постоянное прямое напряжение, В Uпр 1 1 1 1 Iпр =20 мА Заряд восстановления, пКл Qвос 150 150 150 150 Iпр =20 мА, Uобр.и =10 В Разность прямых напряжений между всеми элементами диодной матрицы, мВ ΔUпр 5 20 10 20 Iпр =0,05÷2 мА Общая емкость, пФ Сд 2,5 2,5 2,5 2,5 Uобр=0,1 В Время обратного восстановления, нс tвос.обр 4 4 4 4 с Iпр=10 мА на Uобр.и=10 В, уровень отсчета Iобр=2 мА Примечание – все параметры, за исключением ΔUпр, приведены для каждого элемента диодной матрицы. Страницы: 1 2 3 4
