Полупроводниковое производство - Болховский завод полупроводниковых приборов

Страницы:

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диодные матрицы

2Д906А1/ББ, 2Д906А1/ББ «ОС»

2Д906Б1/ББ, 2Д906Б1/ББ «ОС»

2Д906В1/ББ, 2Д906В1/ББ «ОС»

На печать

АЕЯР.432120.185 ТУ, аАО.339.190 ТУ (для «ОС»)

Особенности

— состоят из четырех элементов;

— пластмассовый корпус.

Применение

— предназначены для работы в качестве выпрямительного моста или резервированного диода в специальных радиотехнических и электронных устройствах.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более			Примечание
Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	2Д906А1/ББ, 2Д906А1/ББ «ОС»	2Д906Б1/ББ, 2Д906Б1/ББ «ОС»	2Д906В1/ББ, 2Д906В1/ББ «ОС»	Примечание
При включении в качестве резервированного диода
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	75,0	50,0	30,0	1,5
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (τ ≤ 10 мкс), В	U_{обр.и.мах}	100,0	75,0	75,0	1,3,5
Максимально допустимый импульсный прямой ток (τ ≤ 10 мкс, I_пр.ср.=30 мА), А (τ ≤ 10 мкс, I_пр.ср.=60 мА при температуре от минус 60 до 90 °С), А	I_{пр.и.макс} I_{пр.и.макс}	2,0 1,0	2,0 1,0	2,0 1,0	1,5 5
Максимально допустимый средний прямой ток при температуре: — от минус 60 до 50 °С, мА; — при температуре 125 °С, мА	I_{пр.ср.макс} I_{пр.ср.макс}	200,0 25,0	200,0 25,0	200,0 25,0	2,5 4,5
Предельная частота выпрямления (без снижения прямого тока), кГц	f_пред	500,0	500,0	500,0	4,5
При работе в качестве выпрямительного моста (включение в схему выводами 3-4 – вход, выводами 1-2 – выход)
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на входе, В	U_{обр.макс}	75,0	50,0	30,0	1
Максимально допустимая однократная перегрузка по величине постоянного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 5 мин), А: а) в течение 10 мкс; б) в течение 1 мс	I_{пр.и.макс} I_{пр.и.макс}	2,0 1,0	2,0 1,0	2,0 1,0	1 1
Предельная рабочая частота, кГц	f_пред	500,0	500,0	500,0	4
Значения электрических параметров приведены в диапазоне температур от минус 60 до 125 °С. В диапазоне температур от 50 до 125 °С максимально допустимый прямой ток уменьшается линейно. Подача импульса отрицательной полярности через время не менее 3 мкс после окончания импульсов прямого тока. При любой форме напряжения длительностью фронта не менее 50 нс от уровня 0,1 до уровня 0,9 амплитуды напряжения. Параметры приведены для каждого элемента диодной матрицы.

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения	Примечание
Постоянное обратное напряжение, В	U_обр	≥75,0 для А1, ≥50,0 для Б1, ≥30,0 для В1	I_обр = 2 мкА	1
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр.	≤2,0	U_обр = 75 В (для А1), 50 В (для Б1), 30 В (для В1)	1
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	≤1,0	I_пр.=50 мА	1
Импульсное прямое напряжение, В	U_пр.и	≤5,0	I_пр.и=2 А, I_пр.ср= 30 мА, τ_и = 10 мкс	1
Установившееся прямое напряжение, В	U_пр.уст	≤2,0	I_пр.и=2 А, I_пр.ср=30 мА, τ_и = 10 мкс	1
Прямое напряжение короткого замыкания, В	U_пр.к.з	≤2,0	I_м = 0,2 А	2
Обратный ток холостого хода, мкА	I_{обр.х.х.}	≤5,0	U_обр = 75 В (для А1), 50 В (для Б1), 30 В (для В1)	2
Общая емкость, пФ	С_д	≤20,0	U_обр = 5 В	1
Время обратного восстановления, мкс	t_{вос.обр}	≤0,4	I_вос = 5 мА, U_обр. = 20 В, I_пр.и = 0,2 А, R_∑ = 600 Ом	1
Время прямого восстановления, мкс	t_вос.пр	≤1,0	I_пр.и=2 А, I_пр.ср=30 мА, τ_и = 10 мкс	1
Пробивное напряжение, В	U_проб	≥100,0 для А1, ≥75,0 для Б1 и В1	I_обр=50 мкА	1
Примечания Параметры приведены для каждого элемента ДМ. Параметры приведены для работы ДМ в качестве выпрямительного моста.

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диодные матрицы

2Д906Г/ББ,

2Д906Г1/ББ

На печать

АЕЯР.432120.185 ТУ

Особенности

— состоят из четырех элементов;

— пластмассовый корпус.

Применение

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более	Примечание
При включении в качестве резервированного диода
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	300,0	1,5
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (τ ≤ 10 мкс), В	U_{обр.и.мах}	400,0	1,3,5
Максимально допустимый импульсный прямой ток (τ ≤ 10 мкс, I_пр.ср.=30 мА), А (τ ≤ 10 мкс, I_пр.ср.=60 мА при температуре от минус 60 до 90 °С), А	I_{пр.и.макс} I_{пр.и.макс}	2,0 1,0	1,5 5
Максимально допустимый средний прямой ток при температуре: — от минус 60 до 50 °С, мА; — при температуре 125 °С, мА	I_{пр.ср.макс} I_{пр.ср.макс}	200,0 25,0	2,5 4,5
Предельная частота выпрямления (без снижения прямого тока), кГц	f_пред	10,0	4,5
При работе в качестве выпрямительного моста (включение в схему выводами 3-4 – вход, выводами 1-2 – выход)
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на входе, В	U_{обр.макс}	300,0	1
Максимально допустимый средний прямой ток на выходе в зависимости от температуры и частоты, мА	I_{пр.ср.макс}	25,0
Максимально допустимая однократная перегрузка по величине постоянного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 5 мин), А: а) в течение 10 мкс; б) в течение 1 мс	I_{пр.и.макс} I_{пр.и.макс}	2,0 1,0	1 1
Предельная рабочая частота, кГц	f_пред	10,0	4
Значения электрических параметров приведены в диапазоне температур от минус 60 до 125 °С. В диапазоне температур от 50 до 125 °С максимально допустимый прямой ток уменьшается линейно. Подача импульса отрицательной полярности через время не менее 3 мкс после окончания импульсов прямого тока. При любой форме напряжения длительностью фронта не менее 50 нс от уровня 0,1 до уровня 0,9 амплитуды напряжения. Параметры приведены для каждого элемента диодной матрицы.

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения	Примечание
Постоянное обратное напряжение, В	U_обр	≥300	I_обр = 2 мкА	1
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр.	≤2	U_обр=300 В	1
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	≤1	I_пр.=50 мА	1
Импульсное прямое напряжение, В	U_пр.и	≤5	I_пр.и=2 А, I_пр.ср= 30 мА, τ_и = 10 мкс	1
Установившееся прямое напряжение, В	U_пр.уст	≤2,5	I_пр.и=2 А, I_пр.ср=30 мА, τ_и = 10 мкс	1
Прямое напряжение короткого замыкания, В	U_пр.к.з	≤2	I_м = 0,2 А	2
Обратный ток холостого хода, мкА	I_{обр.х.х.}	≤5	U_обр = 300 В	2
Общая емкость, пФ	С_д	≤20	U_обр = 5 В	1
Время обратного восстановления, мкс	t_{вос.обр}	≤0,4	I_вос = 5 мА, U_обр. = 20 В, I_пр.и = 0,2 А, R_∑ = 600 Ом	1
Время прямого восстановления, мкс	t_вос.пр	≤1	I_пр.и=2 А, I_пр.ср=30 мА, τ_и = 10 мкс	1
Пробивное напряжение, В	U_проб	≥400	I_обр=50 мкА	1
Примечания Параметры приведены для каждого элемента ДМ. Параметры приведены для работы ДМ в качестве выпрямительного моста.

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные диодные матрицы

2Д906А2/ББ,

2Д906Б2/ББ,

2Д906В2/ББ

На печать

АЕЯР.432120.185 ТУ

Особенности

— состоят из четырех элементов;

— металлокерамический корпус;

— группа стойкости 3У по ГОСТ В 20.39.404.

Применение

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более			Примечание
Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	2Д906А2/ББ	2Д906Б2/ББ	2Д906В2/ББ	Примечание
При включении в качестве резервированного диода
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	75,0	50,0	30,0	1,5
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (τ ≤ 10 мкс), В	U_{обр.и.мах}	100,0	75,0	75,0	1,3,5
Максимально допустимый импульсный прямой ток (τ ≤ 10 мкс, I_пр.ср.=30 мА), А (τ ≤ 10 мкс, I_пр.ср.=60 мА при температуре от минус 60 до 90 °С), А	I_{пр.и.макс} I_{пр.и.макс}	2,0 1,0	2,0 1,0	2,0 1,0	1,5 5
Максимально допустимый средний прямой ток при температуре: — от минус 60 до 50 °С, мА; — при температуре 125 °С, мА	I_{пр.ср.макс} I_{пр.ср.макс}	200,0 25,0	200,0 25,0	200,0 25,0	2,5 4,5
Предельная частота выпрямления (без снижения прямого тока), кГц	f_пред	500,0	500,0	500,0	4,5
При работе в качестве выпрямительного моста (включение в схему выводами 3-4 – вход, выводами 1-2 – выход)
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение на входе, В	U_{обр.макс}	75,0	50,0	30,0	1
Максимально допустимая однократная перегрузка по величине постоянного тока на выходе (время между однократными импульсами не менее 5 мин), А: а) в течение 10 мкс; б) в течение 1 мс	I_{пр.и.макс} I_{пр.и.макс}	2,0 1,0	2,0 1,0	2,0 1,0	1 1
Предельная рабочая частота, кГц	f_пред	500,0	500,0	500,0	4
Значения электрических параметров приведены в диапазоне температур от минус 60 до 125 °С. В диапазоне температур от 50 до 125 °С максимально допустимый прямой ток уменьшается линейно. Подача импульса отрицательной полярности через время не менее 3 мкс после окончания импульсов прямого тока. При любой форме напряжения длительностью фронта не менее 50 нс от уровня 0,1 до уровня 0,9 амплитуды напряжения. Параметры приведены для каждого элемента диодной матрицы.

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения
Постоянное обратное напряжение, В	U_обр	≥75,0 для А2, ≥50,0 для Б2, ≥30,0 для В2	I_обр = 2 мкА
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр.	≤2,0	U_обр = 75 В (для А2), 50 В (для Б2), 30 В (для В2)
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	≤1,0	I_пр.=50 мА
Импульсное прямое напряжение, В	U_пр.и	≤5,0	I_пр.и=2 А, I_пр.ср= 30 мА, τ_и = 10 мкс
Установившееся прямое напряжение, В	U_пр.уст	≤2,0	I_пр.и=2 А, I_пр.ср=30 мА, τ_и = 10 мкс
Прямое напряжение короткого замыкания, В	U_пр.к.з	≤2,0	I_м = 0,2 А
Обратный ток холостого хода, мкА	I_{обр.х.х.}	≤5,0	U_обр = 75 В (для А2), 50 В (для Б2), 30 В (для В2)
Общая емкость, пФ	С_д	≤20,0	U_обр = 5 В
Время обратного восстановления, мкс	t_{вос.обр}	≤0,4	I_вос = 5 мА, U_обр. = 20 В, I_пр.и = 0,2 А, R_∑ = 600 Ом
Время прямого восстановления, мкс	t_вос.пр	≤1,0	I_пр.и=2 А, I_пр.ср=30 мА, τ_и = 10 мкс
Пробивное напряжение, В	U_проб	≥100,0 для А2, ≥75,0 для Б2 и В2	I_обр=50 мкА

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые диодные матрицы полупроводниковые

2ДС627А/ББ,

2ДС627А/ББ «ОСМ»

На печать

АЕЯР.432120.515 ТУ, РД В 22.02.218 (для «ОСМ»)

Особенности

— керамикополимерный корпус 401.16-3 БЧО.487.005 ТУ.

Применение

— предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	50
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение (при τ_и≤2 мкс и Q≥10), В	U_{обр.и.мах}	60
Максимально допустимое неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В	U_{обр.и.нп}	70
Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.ср.макс}	0,2 0,08
Максимально допустимый действующий прямой ток для каждого диода, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.д.макс}	0,2 0,08
Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения I_{пр.ср.макс} через любое число диодов ДМП или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.и.макс}	1,5 0,75
Максимально допустимый ударный прямой ток для каждого диода, А (при температуре окружающей среды 25±10ºС) (при τ_и≤10 мкс и Q=50)	I_{пр.уд.макс}	2,5
Максимально допустимая температура перехода, °С	T_j	155

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения
Постоянный обратный ток и его стабильность для каждого диода, мкА	I_обр	≤2	U_обр=50 В
Постоянное прямое напряжение для каждого диода, В	U_пр	≥0,85 ≤1,15	I_пр=200 мА
Время обратного восстановления ДМП каждого диода, нс	t_вос	≤40	I_пр.и=200 мА, U_обр.и=20 В, I_{обр.отсч}=10 мА, dI_пр.и/dt = 25А/мкс
Общая емкость каждого диода при нулевом смещении, пФ	С_д	≤5
Импульсное прямое напряжение для каждого диода, В	U_пр.и	≤4	I_пр.и = 1 А, τ_и= 10 мкс, Q=500
Дифференциальное сопротивление каждого диода в открытом состоянии, Ом	r_Д	≤10	I_пр =100 мА
Тепловое сопротивление переход-среда каждого диода, °С/Вт	R_Т	≤200

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые диодные матрицы полупроводниковые

2ДС627А1/ББ,

2ДС627А1/ББ «ОСМ»

На печать

АЕЯР.432120.515 ТУ, РД В 22.02.218 (для «ОСМ»)

Особенности

— металлокерамический корпус 4106.16 УФО.487.005 ТУ.

Применение

— предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	50
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение (при τ_и≤2 мкс и Q≥10), В	U_{обр.и.мах}	60
Максимально допустимое неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В	U_{обр.и.нп}	70
Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все диоды или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.ср.макс}	0,2 0,08
Максимально допустимый действующий прямой ток для каждого диода, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.д.макс}	0,2 0,08
Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения I_{пр.ср.макс} через любое число диодов ДМП или любой одиночный диод, А — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.и.макс}	1,5 0,75
Максимально допустимый ударный прямой ток для каждого диода, А (при температуре окружающей среды 25±10ºС) (при τ_и≤10 мкс и Q=50)	I_{пр.уд.макс}	2,5
Максимально допустимая температура перехода, °С	T_j	155

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения
Постоянный обратный ток и его стабильность для каждого диода, мкА	I_обр	≤2	U_обр=50 В
Постоянное прямое напряжение для каждого диода, В	U_пр	≥0,85 ≤1,15	I_пр=200 мА
Время обратного восстановления ДМП каждого диода, нс	t_вос	≤40	I_пр.и=200 мА, U_обр.и=20 В, I_{обр.отсч}=10 мА, dI_пр.и/dt = 25А/мкс
Общая емкость каждого диода при нулевом смещении, пФ	С_д	≤5
Импульсное прямое напряжение для каждого диода, В	U_пр.и	≤4	I_пр.и = 1 А, τ_и= 10 мкс, Q=500
Дифференциальное сопротивление каждого диода в открытом состоянии, Ом	r_Д	≤10	I_пр =100 мА
Тепловое сопротивление переход-среда каждого диода, °С/Вт	R_Т	≤200

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевый эпитаксиально — планарный импульсный полупроводниковый диод

2Д510А/ББ

На печать

АЕЯР.432120.239 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус КД-3 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначен для работы в импульсных схемах (в импульсных вторичных источниках питания, в преобразователях частоты и т.п.) аппаратуры военного назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	50,0
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В	U_{обр.и.мах}	70,0
Максимально допустимый средний прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С; — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.ср.max} I_{пр.ср.max}	200,0 100,0
Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_пр.max I_пр.max	200,0 100,0
Максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения Iпр.ср.max, мА: — при температуре от минус 60 до 50°С; — при температуре 125°С	I_пр.и.max I_пр.и.max	1500,0 500,0
Ток перегрузки (ударный ток), А: — при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 50; — при температуре окружающей среды 25 °С	I_уд I_уд	2,0 2,0
Температура перехода, °С	T_j	150

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр	5,0	U_обр=50 В
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	1,1	I_пр=200 мА
Заряд восстановления диода, пКл	Q_вос	400,0	при переключении с I_пр=50 мА на U_обр.и =10 В
Время обратного восстановления диода, нс	t_{вос.обр}	4,0	при переключении с I_пр=10 мА на U_обр.и=10 В при уровне обратного тока 2 мА
Общая емкость диода при нулевом смещении, пФ	С_д	4,0
Импульсное прямое напряжение, В	U_пр.и	5,0	I_пр.и=2 А
Дифференциальное сопротивление диода в открытом состоянии, Ом	r_д	5,0	I_пр=100 мА
Тепловое сопротивление кристалл-корпус диода, град/Вт	R_Т	200,0

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевый эпитаксиально — планарный импульсный диод

ОС2Д510А/ББ

На печать

АЕЯР.432120.602 ТУ

Особенности

— металлостеклянный корпус КД-3 ГОСТ 18472.

Применение

— предназначен для работы в импульсных схемах (в импульсных вторичных источниках питания, в преобразователях частоты и т.п.) аппаратуры специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	50,0
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода при длительности импульса не более 2 мкс и скважности не менее 10, В	U_{обр.и.мах}	70,0
Максимально допустимый средний прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С; — при температуре окружающей среды 125°С	I_{пр.ср.max} I_{пр.ср.max}	200,0 100,0
Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА: — при температуре окружающей среды от минус 60 до 50°С — при температуре окружающей среды 125°С	I_пр.max I_пр.max	200,0 100,0
Максимально допустимый импульсный прямой ток при длительности импульса не более 10 мкс без превышения Iпр.ср.max, мА: — при температуре от минус 60 до 50°С; — при температуре 125°С	I_пр.и.max I_пр.и.max	1500,0 500,0
Ток перегрузки (ударный ток), А: — при длительности импульса не более 10 мкс и скважности импульсов не менее 50; — при температуре окружающей среды 25 °С	I_уд I_уд	2,0 2,0
Температура перехода, °С	T_j	150

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Режим измерения
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр	5,0	U_обр=50 В
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	1,1	I_пр=200 мА
Заряд восстановления диода, пКл	Q_вос	400,0	при переключении с I_пр=50 мА на U_обр.и =10 В
Время обратного восстановления диода, нс	t_{вос.обр}	4,0	при переключении с I_пр=10 мА на U_обр.и=10 В при уровне обратного тока 2 мА
Общая емкость диода при нулевом смещении, пФ	С_д	4,0
Импульсное прямое напряжение, В	U_пр.и	5,0	I_пр.и=2 А
Дифференциальное сопротивление диода в открытом состоянии, Ом	r_д	5,0	I_пр=100 мА
Тепловое сопротивление кристалл-корпус диода, град/Вт	R_Т	200,0

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные импульсные полупроводниковые диоды

2Д520А,

2Д520А «ОС»

На печать

аАО.339.163 ТУ, аАО.339.190 ТУ (для «ОС»)

Особенности

— металлостеклянный корпус.

Применение

— предназначены для применения в устройствах специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В	U_{обр.макс}	15
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение, В	U_{обр.и.мах}	25
Максимально допустимый импульсный прямой ток, мА (τ_и ≤ 10 мкс, Q ≥ 2,5)	I_{пр.и.мах}	50
Максимально допустимый постоянный прямой ток, мА	I_пр.мах	20

Габаритный чертеж

Принципиальная схема

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более	Режим измерения
Импульсное прямое напряжение, В	U_пр.и	2	I_пр.и = 20 мА
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	1	I_пр= 20 мА
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр	1	U_обр.max = 15 В
Общая емкость диода, пФ	C_д	3	U_обр = 5 В f = 1÷10 мГц
Заряд восстановления, пКл	Q_вос	100	при переключении с I_пр =10 мА, на U_обр.и =10 В

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные импульсные диодные матрицы

2ДС523А
2ДС523Б
2ДС523В
2ДС523Г

На печать

ТТ3.362.143 ТУ

Особенности

— пластмассовый корпус;

— два (типы 2ДС523А, Б) и четыре (типы 2ДС523В, Г) элемента с раздельными мину-совыми и плюсовыми электродами

Применение

— устройства специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение любой формы и периодичности, В	U_{обр.мах}	50
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (при τ_и ≤ 3 мкс и времени между бросками t ≥ 0,5 с), В	U_{обр.и.мах}	70
Максимально допустимый постоянный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Q_окр от минус 60 до 85ºС), мА	I_пр.мах	20
Максимально допустимый импульсный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Q_окр от минус 60 до 85ºС) t_и ≤ 10 мкс; время между бросками t ≥ 0,5 с; I_пр.ср ≤ 20 мА, мА	I_{пр.и.мах}	200
Максимально допустимый средний прямой ток (диапазон Q_окр от минус 60 до 85ºС), мА	I_{пр.ср.мах}	20

Габаритный чертеж,

принципиальная схема
2ДС523А, 2ДС523Б

2ДС523В, 2ДС523Г

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более				Режим измерения
Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	2ДС523А	2ДС523Б	2ДС523В	2ДС523Г	Режим измерения
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр	5	5	5	5	U_обр =50 В
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	1	1	1	1	I_пр =20 мА
Заряд восстановления, пКл	Q_вос	150	150	150	150	I_пр =20 мА, U_обр.и =10 В
Разность прямых напряжений между всеми элементами диодной матрицы, мВ	ΔU_пр	5	20	10	20	I_пр =0,05÷2 мА
Общая емкость, пФ	С_д	2	2	2	2	U_обр=0,1 В
Время обратного восстановления, нс	t_{вос.обр}	4	4	4	4	с I_пр=10 мА на U_обр.и=10 В, уровень отсчета I_обр=2 мА
Примечание – все параметры, за исключением ΔU_пр, приведены для каждого элемента диодной матрицы.

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Кремниевые эпитаксиально — планарные импульсные диодные матрицы

2ДС523АМ, 2ДС523АМ «ОСМ»
2ДС523БМ, 2ДС523БМ «ОСМ»
2ДС523ВМ, 2ДС523ВМ «ОСМ»
2ДС523ГМ, 2ДС523ГМ «ОСМ»

На печать

ТТ3.362.143 ТУ Д1, ПО.070.052 (для «ОСМ»)

Особенности

— пластмассовый корпус;

— два (типы 2ДС523АМ, БМ) и четыре (типы 2ДС523ВМ, ГМ) элемента с раздельными минусовыми и плюсовыми электродами, с индивидуальной стеклянной герметизацией каждого элемента.

Применение

— устройства специального назначения.

Предельно допустимые значения параметров

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение любой формы и периодичности, В	U_{обр.мах}	50
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение (при τ_и ≤ 3 мкс и времени между бросками t ≥ 0,5 с), В	U_{обр.и.мах}	70
Максимально допустимый постоянный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Q_окр от минус 60 до 85ºС), мА	I_пр.мах	20
Максимально допустимый импульсный прямой ток через элементы диодной матрицы (диапазон Q_окр от минус 60 до 85ºС) t_и ≤ 10 мкс; время между бросками t ≥ 0,5 с; I_пр.ср ≤ 20 мА, мА	I_{пр.и.мах}	200
Максимально допустимый средний прямой ток (диапазон Q_окр от минус 60 до 85ºС), мА	I_{пр.ср.мах}	20

Габаритный чертеж,

принципиальная схема
2ДС523АМ, 2ДС523БМ

2ДС523ВМ, 2ДС523ГМ

Основные электрические параметры
при Т_{окр.среды} = (25±10)˚С

Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма, не более				Режим измерения
Наименование параметра, единица измерения	Буквенное обозначение	2ДС523АМ, 2ДС523АМ «ОСМ»	2ДС523БМ, 2ДС523БМ «ОСМ»	2ДС523ВМ, 2ДС523ВМ «ОСМ»	2ДС523ГМ, 2ДС523ГМ «ОСМ»	Режим измерения
Постоянный обратный ток, мкА	I_обр	5	5	5	5	U_обр =50 В
Постоянное прямое напряжение, В	U_пр	1	1	1	1	I_пр =20 мА
Заряд восстановления, пКл	Q_вос	150	150	150	150	I_пр =20 мА, U_обр.и =10 В
Разность прямых напряжений между всеми элементами диодной матрицы, мВ	ΔU_пр	5	20	10	20	I_пр =0,05÷2 мА
Общая емкость, пФ	С_д	2,5	2,5	2,5	2,5	U_обр=0,1 В
Время обратного восстановления, нс	t_{вос.обр}	4	4	4	4	с I_пр=10 мА на U_обр.и=10 В, уровень отсчета I_обр=2 мА
Примечание – все параметры, за исключением ΔU_пр, приведены для каждого элемента диодной матрицы.

Страницы: